法国国家科学研究中心Pierre Ruterana教授再次访问计算室

(文/雷华平）

5月25日，法国国家科学研究中心CIMAP实验室Pierre Ruterana教授应邀再次来访,并作了题为“绿色激光的InGaN/GaN多量子阱中缺陷性质研究”的学术报告。

报告中，Ruterana教授介绍了绿色激光的InGaN/GaN材料体系的最新进展。研究发现，随着In%浓度的提高，外延材料质量逐渐恶化，显示材料中缺陷的控制非常重要。Ruterana教授基于高分辨电子显微镜表征技术系统，阐述了高In%浓度的InGaN合金材料中缺陷的种类和特征，并进一步探讨了不同缺陷对材料光激射内量子效率的影响。该研究成果对材料生长控制和光电器件设计具有重要意义，这些实验方面的第一手信息开拓了我室理论研究工作者和学生的视野。

Pierre  Ruterana教授现工作于法国国家科学研究中心CIMAP实验室，是CIMAP实验室能源材料研究部门的负责人，已在Appl. Phys. Lett., Phys. Rev.  B等国际著名学术刊物发表SCI论文300多篇，包括多篇综述文章，被SCI检索论文引用2600多次。Ruterana教授参与5项欧盟研究计划，其中主持2项，另外3项是课题负责人，此外Ruterana教授主持和参与多项法国国家研究署（ANR）项目和诺曼底地区项目。目前与我室雷华平博士保持着学术上的合作。

 Ruterana教授作报告

报告会现场