计算室举办辐照条件下材料性质的多尺度计算和模拟项目研讨会

材料与化学前沿科学领域挑战计划

（文/张传国）

11月6日-7日，我室举办“材料与化学前沿科学领域挑战计划——辐照条件下材料性质的多尺度计算和模拟”研讨会， 来自七个参研单位的50多位科研人员参加了此次会议。

北京计算科学研究中心、中科院固体物理所、华东师范大学、北京航空航天大学、大连理工大学五家单位的六位专家分别汇报了各自所主持课题的进展报告。大家围绕“材料辐照损伤多尺度模拟、半导体缺陷性质的理论研究、Cu2ZnSeS4类半导体缺陷的第一性原理计算研究与高通量计算、半导体材料相互作用模型的人工智能构建、辐照条件下氧化物材料的缺陷性质和演化，以及宽禁带半导体表面行为和辐照损伤行为”等内容，详细介绍了各具特色的理论模拟方法，通过实例阐述了计算流程与自主软件操作过程。

经过研讨，项目组总结了半导体中缺陷性质计算与辐照损伤多尺度模拟年度进展，梳理了所面临的问题，进一步细化了下一步研究计划。

此次研讨会达到了集中科研的效果，与会参研单位人员以及旁听的固体所师生表示受益匪浅。

                                                                                                报告人

                              合影